中國報(bào)告大廳網(wǎng)訊,2025年全球晶圓市場正經(jīng)歷前所未有的結(jié)構(gòu)性變革,AI算力需求激增成為核心驅(qū)動(dòng)力。3納米先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張、存儲(chǔ)芯片需求井噴、供應(yīng)鏈全面升級(jí)等現(xiàn)象,共同勾勒出未來數(shù)年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的演進(jìn)路徑。行業(yè)高管在近期行業(yè)活動(dòng)中透露,頭部廠商已啟動(dòng)新一輪產(chǎn)能規(guī)劃,預(yù)示著晶圓市場即將進(jìn)入以AI為核心的高增長周期。

中國報(bào)告大廳發(fā)布的《2025-2030年中國晶圓行業(yè)市場供需及重點(diǎn)企業(yè)投資評(píng)估研究分析報(bào)告》指出,當(dāng)前全球3納米晶圓月產(chǎn)能已達(dá)10萬至11萬片,頭部廠商正加速推進(jìn)產(chǎn)能提升至16萬片。此次擴(kuò)產(chǎn)中,約3.5萬片將專供高性能AI芯片制造,反映出Blackwell平臺(tái)對(duì)先進(jìn)制程的強(qiáng)烈需求。該平臺(tái)不僅包含GPU,還整合CPU、網(wǎng)絡(luò)與交換芯片等多類型產(chǎn)品,進(jìn)一步推高晶圓消耗量。行業(yè)觀察顯示,3納米與5納米制程產(chǎn)能已被AI、云計(jì)算及高性能運(yùn)算訂單全面占滿至2026年,市場需求與供給間的緊張態(tài)勢將持續(xù)至未來兩年。
AI芯片性能提升同步帶動(dòng)存儲(chǔ)需求爆發(fā)式增長。SK海力士、三星電子與美光科技三大存儲(chǔ)廠商已向客戶交付最新樣品,并啟動(dòng)產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。SK海力士2026年全部產(chǎn)能已被預(yù)訂,三星則鎖定2026年底推出的下一代平臺(tái)HBM4高帶寬內(nèi)存供應(yīng)。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,存儲(chǔ)廠商正通過技術(shù)研發(fā)和資本投入,支撐這波AI“超級(jí)周期”帶來的市場需求。
未來技術(shù)演進(jìn)方向已明確指向更先進(jìn)制程。Blackwell Ultra GB300與Vera Rubin等下一代AI平臺(tái)均將采用臺(tái)積電N3P工藝制造,該技術(shù)在能效與性能上的優(yōu)勢將進(jìn)一步鞏固3納米晶圓的市場地位。行業(yè)高管強(qiáng)調(diào),晶圓代工與芯片設(shè)計(jì)廠商的深度合作模式,將持續(xù)推動(dòng)先進(jìn)制程的商業(yè)化落地,為AI算力建設(shè)提供核心支撐。
2025年晶圓市場呈現(xiàn)供需雙輪驅(qū)動(dòng)態(tài)勢,AI芯片需求成為推動(dòng)3納米產(chǎn)能擴(kuò)張的核心動(dòng)力。從制程工藝升級(jí)到存儲(chǔ)芯片配套,整個(gè)供應(yīng)鏈的協(xié)同擴(kuò)張正加速重塑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。隨著N3P工藝大規(guī)模應(yīng)用和高帶寬內(nèi)存技術(shù)突破,未來三年晶圓市場將保持高位運(yùn)行,為全球AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)注入持續(xù)動(dòng)能。
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