中國報(bào)告大廳網(wǎng)訊,導(dǎo)語
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)追求高性能與高集成度的背景下,碳化硅(SiC)憑借其卓越的熱管理性能,正成為芯片散熱領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。隨著AI芯片功率需求激增至千瓦級別,傳統(tǒng)散熱方案面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),而碳化硅基散熱技術(shù)通過降低結(jié)溫、優(yōu)化封裝尺寸等優(yōu)勢,逐步打開產(chǎn)業(yè)新空間。據(jù)行業(yè)預(yù)測,2025年全球碳化硅市場規(guī)模將突破300億美元,其中散熱應(yīng)用占比顯著提升,推動產(chǎn)業(yè)鏈從電力電子向高端芯片封裝延伸。

碳化硅材料的熱導(dǎo)率高達(dá)500W/mK,是硅的3倍以上,且其熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體器件高度匹配,成為解決高功率芯片散熱瓶頸的理想選擇。近年來,頭部企業(yè)已將研發(fā)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向碳化硅在封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:
隨著先進(jìn)封裝技術(shù)如CoWoS持續(xù)縮小芯片集成面積,中介層的散熱能力直接決定算力輸出穩(wěn)定性。采用碳化硅基板后,單顆2500mm2的AI芯片中介層可減少襯底需求量近40%,這推動產(chǎn)業(yè)鏈加速布局:
碳化硅的應(yīng)用已從傳統(tǒng)電力電子領(lǐng)域向芯片封裝、熱沉散熱等新興場景延伸:
當(dāng)前,碳化硅散熱技術(shù)仍面臨襯底良率、成本控制等挑戰(zhàn),但其在AI芯片領(lǐng)域的不可替代性已形成共識。行業(yè)預(yù)測顯示:
碳化硅憑借其卓越的導(dǎo)熱性能與封裝適配性,正重塑芯片散熱市場的競爭格局。從AI算力核心部件到新興應(yīng)用場景的持續(xù)滲透,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已進(jìn)入規(guī)模化落地階段。隨著頭部企業(yè)加速布局、市場需求指數(shù)級增長,這一材料將在高端半導(dǎo)體領(lǐng)域扮演更關(guān)鍵角色,推動全球電子產(chǎn)業(yè)向更高能效與穩(wěn)定性的方向邁進(jìn)。
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