
2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在波動(dòng)中持續(xù)重構(gòu),存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)迎來(lái)結(jié)構(gòu)性復(fù)蘇,設(shè)備領(lǐng)域資本活躍度顯著提升。截至10月27日,存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)攀升,帶動(dòng)相關(guān)ETF產(chǎn)品大幅走高,半導(dǎo)體材料與設(shè)備企業(yè)的市場(chǎng)表現(xiàn)成為行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局變化的重要風(fēng)向標(biāo)。
中國(guó)報(bào)告大廳發(fā)布的《2025-2030年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及投資規(guī)劃深度研究分析報(bào)告》指出,存儲(chǔ)芯片板塊在2025年第三季度呈現(xiàn)全面漲價(jià)趨勢(shì),DRAM現(xiàn)貨價(jià)格同比暴漲近一倍,其中DDR4部分型號(hào)價(jià)格較4月漲幅超300%。頭部企業(yè)三星電子和SK海力士計(jì)劃于四季度將DRAM和NAND產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)30%,這一策略性調(diào)整反映了市場(chǎng)需求的結(jié)構(gòu)性變化。
半導(dǎo)體設(shè)備ETF(代碼159327)在資金流入層面表現(xiàn)強(qiáng)勁,近10日凈流入超1.1億元,近20日達(dá)4.1億元,場(chǎng)內(nèi)交易活躍度顯著提升。該ETF緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù),覆蓋40家滬深市場(chǎng)核心企業(yè),凸顯設(shè)備領(lǐng)域在產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位。
當(dāng)前半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)的核心已轉(zhuǎn)向算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。行業(yè)分析師指出,大型科技公司為應(yīng)對(duì)AI時(shí)代需求,正加速投資高性能計(jì)算(HBM芯片)及先進(jìn)制程技術(shù)。這一趨勢(shì)推動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求從傳統(tǒng)消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算領(lǐng)域轉(zhuǎn)移,預(yù)計(jì)將持續(xù)至2026年。
盡管存儲(chǔ)價(jià)格漲幅顯著,但供應(yīng)鏈穩(wěn)定性仍面臨挑戰(zhàn)。原廠價(jià)格策略調(diào)整、產(chǎn)能利用率波動(dòng)以及現(xiàn)貨市場(chǎng)供需變化,將直接影響企業(yè)利潤(rùn)率。此外,HBM芯片的量產(chǎn)進(jìn)度與良率提升速度,將成為半導(dǎo)體廠商搶占高端市場(chǎng)的關(guān)鍵變量。
2025年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)集中在存儲(chǔ)價(jià)格周期、設(shè)備投資強(qiáng)度與AI算力需求三大維度。存儲(chǔ)芯片價(jià)格的結(jié)構(gòu)性上漲驗(yàn)證了下游市場(chǎng)的剛性需求,而設(shè)備領(lǐng)域的資本流動(dòng)則折射出長(zhǎng)期技術(shù)升級(jí)的確定性。隨著頭部企業(yè)通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)創(chuàng)新鞏固優(yōu)勢(shì),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分化與整合將持續(xù)重塑全球競(jìng)爭(zhēng)格局。當(dāng)前數(shù)據(jù)表明,半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇并非短期現(xiàn)象,而是由技術(shù)迭代與市場(chǎng)需求共同驅(qū)動(dòng)的長(zhǎng)期趨勢(shì)。
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